株式会社デバイスラボ
企业品牌
未认领日本筑波大学的衍生企业,提供面向半导体与极低温电子学的电子噪声表征、测量服务与委托研究。
最近更新 2026年9月28日
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概览
株式会社デバイスラボ(Device Lab Inc.)是一家总部位于日本茨城县筑波市的研究驱动型企业,于2017年4月3日作为筑波大学的衍生企业成立。其核心技术是电子噪声表征——即纳米级电子器件中噪声与涨落的测量与分析——由创始人兼首席执行官大毛利健治在JST-CREST项目中开发。大毛利健治在名古屋大学研究生院工学研究科获得博士学位,曾在美国伊利诺伊大学厄巴纳-香槟分校和物质・材料研究机构担任博士后研究员,2007年加入早稻田大学任副教授,2010年至2017年任筑波大学数理物质系物理工学域副教授,研究纳米级电子器件的噪声、涨落与变异性。他于2008年至2013年领导JST-CREST项目,并于2017年离开大学创立株式会社デバイスラボ,将该项目中开发的噪声表征技术商业化。 公司提供测量服务与委托研究。其测量服务包括低频噪声测量(1 Hz – 1 MHz),用于评估栅氧化层等材料质量;以及以Entrope®品牌提供的高频噪声测量(100 kHz – 100 MHz),用于热噪声水平评估。公司还为电子器件项目提供研究提案、研发、测量与数据分析以及发表支持。公司曾获得包括JST-CREST、JST-START和NEDO-TCP在内的日本政府研究及创业项目支持。 デバイスラボ活跃于极低温电子学研究,尤其是面向量子计算。2026年2月,公司宣布入选NEDO“后5G信息通信系统基础强化研究开发事业/面向量子计算机的极低温电子学器件技术研究开发”项目,目标是在其极低温半导体器件宽带噪声测量技术基础上,提出极低温电子学中的“Noise-Aware” CMOS IC设计。公司曾在IEEE RFIT和日本应用物理学会发表研究成果,发表关于极低温MOSFET噪声的论文,并于EDTM 2023获得最佳贡献论文奖。公司还获得市村清新技术财团和广泽技术振兴财团的研究资助。2024年,公司通过茨城县创业企业海外拓展支援事业参加了美国纽约州的加速器项目。
沿革
株式会社デバイスラボ于2017年4月3日在日本茨城县筑波市成立,是筑波大学的衍生企业。创始人兼首席执行官大毛利健治在名古屋大学研究生院工学研究科获得工学学士、硕士和博士学位。他曾在美国伊利诺伊大学厄巴纳-香槟分校和日本物质・材料研究机构担任博士后研究员,2007年加入早稻田大学任副教授。2010年至2017年,他任筑波大学数理物质系物理工学域副教授,研究纳米级电子器件的噪声、涨落与变异性。他于2008年至2013年领导JST-CREST项目,期间开发了噪声探针。2017年3月他离开大学,创立株式会社デバイスラボ,以CREST项目中开发的电子噪声表征技术为基础提供解决方案。在成立之前,大毛利博士与联合创始人已获得包括JST-CREST、JST-START和NEDO-TCP在内的政府研究与创业项目支持,核心技术正是在这些项目中构思和开发的。 公司围绕测量服务和委托研究建立业务。其测量服务包括低频噪声测量(1 Hz – 1 MHz),用于评估栅氧化层等材料质量;以及以Entrope®品牌提供的高频噪声测量(100 kHz – 100 MHz),用于热噪声水平评估。公司还为电子器件项目提供研究提案、研发、测量与数据分析以及发表支持。2022年6月,公司终止了SimYog Technology产品的经销。 自2020年代初起,デバイスラボ日益聚焦于面向量子计算的极低温电子学。2021年12月,公司发表了关于MOSFET低温噪声表征的论文。2022年12月,公司宣布开发出面向极低温电子学的噪声测量系统,并在IEEE TechRxiv发布预印本。2023年3月,其关于极低温宽带噪声表征的论文获得EDTM 2023最佳贡献论文奖。2023年12月,公司入选广泽技术振兴财团设立15周年纪念制造技术资助,研究课题为“量子计算用极低温噪声测量系统开发”。2024年,公司通过茨城县创业企业海外拓展支援事业参加了美国纽约州的加速器项目;2024年5月,关于极低温MOSFET噪声的预印本在TechRxiv发布。2025年2月,公司入选市村清新技术财团第114次新技术开发资助,研究课题为“室温到极低温的高精度宽带噪声测量探针系统”。2025年3月,公司在第72届应用物理学会春季学术演讲会上发表研发成果;2025年8月,在IEEE国际射频集成技术研讨会(RFIT)上发表关于极低温MOSFET中极浅能态宽带噪声谱学的研究。2026年2月,公司宣布入选NEDO面向量子计算机的极低温电子学器件技术项目,目标是在其极低温半导体器件宽带噪声测量技术基础上提出极低温电子学中的“Noise-Aware” CMOS IC设计,并表示参与员工工资将较上年度增加3%以上。2026年2月,公司还开始招聘高频测量、器件建模和半导体IC设计领域的研究员与技术员。
株式会社デバイスラボ作为筑波大学衍生企业在日本茨城县筑波市成立。
关于MOSFET低温噪声表征的论文发表。
终止SimYog Technology产品销售。
宣布开发出面向极低温电子学的噪声测量系统。
极低温宽带噪声表征论文获EDTM 2023最佳贡献论文奖。
入选广泽技术振兴财团设立15周年纪念制造技术资助,课题为“量子计算用极低温噪声测量系统开发”。
通过茨城县创业企业海外拓展支援事业参加美国纽约州加速器项目。
入选市村清新技术财团第114次新技术开发资助,课题为“室温到极低温的高精度宽带噪声测量探针系统”。
在IEEE RFIT发表关于极低温MOSFET中极浅能态宽带噪声谱学的研究。
入选NEDO面向量子计算机的极低温电子学器件技术项目。
产品与定位
筑波大学衍生出的研究驱动型企业,专注于面向半导体与量子计算应用的电子噪声表征与极低温测量解决方案。
低频噪声测量
覆盖1 Hz – 1 MHz的测量服务,用于评估栅氧化层等材料质量。
高频噪声测量(Entrope®)
覆盖100 kHz – 100 MHz的测量服务,用于评估热噪声水平。
委托研究与咨询
为电子器件项目的研究提案、研发、测量与数据分析以及发表等各阶段提供支持。
极低温噪声测量系统
面向极低温电子学的噪声测量系统,为量子计算应用开发。
来源4 个来源
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