亿记忆科技

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亿记忆科技是一家台湾半导体IP供应商，专注于逻辑非易失性存储器（NVM）和基于PUF的硬件安全解决方案。

最近更新 2026年9月29日

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概览

亿记忆科技股份有限公司是一家总部位于台湾的半导体知识产权（IP）公司，专注于开发并授权逻辑非易失性存储器（NVM）技术以及近年来的硬件级安全子系统。公司成立于2000年，总部位于台湾新竹，已成为全球领先的嵌入式NVM IP供应商，其技术已嵌入超过1100亿颗芯片中。亿记忆科技的产品组合包括一次性可编程（OTP）存储器、多次可编程（MTP）存储器、物理不可克隆功能（PUF）安全IP以及RRAM等新兴存储器技术。该公司与代工厂、集成设备制造商（IDM）和无晶圆厂设计公司紧密合作，并已与全球超过28家代工厂建立合作伙伴关系。亿记忆科技在台湾证券交易所公开上市，股票代码为3529。近年来，亿记忆科技通过其子公司PUFsecurity扩展至硬件安全领域，将其专利反熔丝OTP与基于PUF的安全解决方案相结合，以满足硅片级网络安全日益增长的需求。公司强调以缩写RISE概括的核心价值观：责任、创新、可持续性和卓越。亿记忆科技获得了众多荣誉，包括连续16年获得台积电IP合作伙伴奖，以及其NeoFuse和NeoPUF技术获得的认可。

沿革

亿记忆科技股份有限公司于2000年在台湾新竹成立，旨在为半导体行业开发并授权逻辑非易失性存储器（NVM）知识产权。该公司专注于可集成到标准CMOS逻辑工艺中的嵌入式NVM技术，无需额外的掩模层或工艺步骤。其最初的产品包括基于反熔丝和浮栅技术的一次性可编程（OTP）和多次可编程（MTP）存储器IP。多年来，亿记忆科技扩展了其IP组合，并与全球主要代工厂和集成设备制造商（IDM）建立了合作伙伴关系。到2010年代，亿记忆科技已成为逻辑NVM IP的领先供应商，其技术被广泛应用于从消费电子到汽车和工业系统等各种应用中。2014年，亿记忆科技将其安全技术分拆为子公司PUFsecurity，专注于使用物理不可克隆功能（PUF）技术的硬件安全解决方案。公司持续创新，推出了NeoFuse、NeoPUF和NeoMTP产品线。2020年，亿记忆科技的NeoPUF荣获国家发明创作金奖。截至2025年，亿记忆科技已连续16年获得台积电IP合作伙伴奖，并一直位列台湾公司治理评估的前列。截至2025年，亿记忆科技的IP已嵌入超过1100亿颗芯片，公司通过其代工合作伙伴出货超过7700万片晶圆。该公司仍在台湾证券交易所公开上市，股票代码为3529，并继续投资于下一代NVM和安全技术。

2025
亿记忆科技连续16年获得台积电IP合作伙伴奖；公司治理评估排名前20%。
2024
亿记忆科技连续15年获得台积电IP合作伙伴奖；荣获2024年EE Award年度最佳IP处理器——NeoFuse。
2023
亿记忆科技连续14年获得台积电IP合作伙伴奖；荣获新竹科学园区“杰出厂商创新产品奖”。
2022
亿记忆科技连续13年获得台积电IP合作伙伴奖；公司治理评估排名前5%。
2021
亿记忆科技连续12年获得台积电IP合作伙伴奖。
2020
NeoPUF荣获国家发明创作金奖。
2014
PUFsecurity分拆为子公司，专注于基于PUF的硬件安全。
2000
亿记忆科技股份有限公司在台湾新竹成立。

产品与定位

逻辑NVM IP的市场领导者，基于PUF的硬件安全的先驱，服务于全球代工厂、IDM和无晶圆厂公司。

NeoFuse OTP
基于反熔丝技术的一次性可编程存储器IP。
NeoMTP
多次可编程存储器IP。
NeoPUF
用于硬件安全的物理不可克隆功能IP。
NeoRRAM
用于新兴存储器应用的电阻式RAM IP。

近期事件

2020.03.16
报道2020.03.16
eMemory的NeoMTP通过TSMC 0.18μm BCD工艺认证[6]eMemory的NeoMTP通过TSMC 0.18μm BCD工艺认证anysilicon.com
eMemory宣布，其NeoMTP非易失性存储器解决方案已在TSMC第三代0.18μm BCD工艺上通过认证，面向物联网电源管理解决方案。

来源6 个来源

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