IM Flash新加坡
企业品牌
未认领IM Flash新加坡是美光科技与英特尔在新加坡设立的半导体制造合资企业，用于生产NAND闪存。
最近更新 2026年8月31日
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概览
IM Flash新加坡有限责任合伙企业是由美光科技和英特尔公司在新加坡设立的半导体制造合资企业。该企业成立于2007年2月，旨在扩大合作伙伴的NAND闪存生产能力，并在IM Flash Technologies之后提供第二个制造基地。工厂位于新加坡北部的工业区Senoko。 该项目原计划于2008年底开始运营。工厂建设完成，但公司并未立即进行设备安装和生产。全球金融危机扰乱了资本支出，削弱了整个半导体行业的需求。因此，计划中的工厂被闲置，所有800名员工在生产开始前被裁员。 随着需求和产能要求的变化，合作伙伴重新审视了该项目。到2010年，准备工作正在进行，以装备该场地并在当年年底开始生产。此次扩张与合作伙伴现有IM Flash Technologies业务的产能限制有关。IM Flash新加坡最终于2011年4月正式开业，成为为两家母公司生产NAND闪存的制造基地。 所有权结构在2012年发生变化。当年2月28日，美光和英特尔宣布对其NAND闪存关系进行更广泛的重组。根据该安排，英特尔同意将其在IM Flash新加坡的权益出售给美光，连同其在美光弗吉尼亚州马纳萨斯工厂的某些IM Flash Technologies资产的份额。该交易使IM Flash新加坡成为美光全资拥有的业务。更广泛关系的后期阶段于2019年完成，当时美光收购了英特尔在IM Flash Technologies中的剩余权益。因此，新加坡业务成为美光制造网络的一部分，并被描述为美光在新加坡的第四家工厂。 因此，IM Flash新加坡最好被理解为半导体制造业务和企业合资企业，而不是面向消费者的产品品牌。其主要活动是生产NAND闪存，这是一种用于存储产品和电子设备的非易失性存储器技术。关于该业务的公开资料侧重于其成立、延迟调试、生产启动以及从美光-英特尔合资企业向美光全资工厂的过渡。所提供的参考资料中未确定有关个别产品、生产量、客户、收入、当前管理层以及后期现场运营的详细信息。
沿革
IM Flash新加坡由美光科技和英特尔公司于2007年2月成立，作为NAND闪存制造的合资企业。该项目代表了合作伙伴现有IM Flash制造关系的扩展，旨在在早期的IM Flash Technologies业务之后创建第二个生产基地。工厂建在新加坡的Senoko。 原计划于2008年底开始运营。尽管建设已完成，但在项目暂停之前，公司并未安装必要的资本设备。全球金融危机影响了半导体投资和需求，工厂被闲置。在此期间，大约800名员工被裁员，留下已完工的工厂未使用。 到2010年，合作伙伴正准备重启该项目。此举与现有IM Flash Technologies工厂达到生产极限以及需要额外NAND闪存产能有关。准备工作正在进行，以便在2010年底前开始生产，工厂于2011年4月正式开业。 该合资企业的所有权很快发生变化。2012年2月28日，美光和英特尔宣布对其NAND闪存合作进行更广泛的调整。英特尔同意将其在IM Flash新加坡的权益转让给美光，以及其在美光弗吉尼亚州马纳萨斯工厂的某些IM Flash Technologies资产的份额。该交易将IM Flash新加坡从两家公司的合资企业转变为美光全资拥有的业务。 更广泛的美光-英特尔关系继续发展，剩余的IM Flash Technologies所有权安排最终于2019年完成。所有权变更后，IM Flash新加坡成为美光新加坡制造业务的一部分，并被确定为美光在新加坡的第四家工厂。所提供的参考资料未提供后续技术世代、产品量、工厂扩建或当前运营状态的详细说明，仅说明其已纳入美光网络。
- 2019
更广泛的IM Flash所有权转移完成
[1]英特尔在IM Flash Technologies中的剩余权益向美光的更广泛转移已完成，巩固了IM Flash新加坡在美光制造网络中的地位。
- 2012
英特尔将其权益转让给美光
[1]作为合作伙伴NAND闪存关系更广泛重组的一部分，英特尔同意将其在IM Flash新加坡的股份出售给美光。
- 2011
工厂正式开业
[1]IM Flash新加坡于4月正式开业，作为NAND闪存制造基地。
- 2010
准备重启制造
[1]在现有IM Flash Technologies工厂达到最大产能后，合作伙伴准备开始生产。
- 2008
初始生产计划暂停
[1]原定于2008年底启动的计划因全球金融危机而中断。已完工的工厂在安装资本设备之前被闲置，大约800名员工被裁员。
- 2007
合资企业成立
[1]美光科技和英特尔公司于2月在新加坡成立IM Flash新加坡，用于制造NAND闪存。
产品与定位
专注于NAND闪存生产以及在美光-英特尔存储器合作伙伴关系内进行产能扩张的半导体制造工厂。
半导体存储器 · 2011
NAND闪存
NAND闪存是与IM Flash新加坡相关的主要产品。该工厂的建立是为了为两家创始公司制造非易失性存储器，并为其更广泛的闪存生产网络增加产能。所提供的参考资料未指明具体的NAND世代、工艺节点、封装格式、品牌零售产品或指定最终客户。
品牌决策
2012
英特尔将IM Flash新加坡股份转让给美光并购背景
美光和英特尔宣布了一项更广泛的努力，以提高其NAND闪存合资企业关系的灵活性和效率。
采取的行动
英特尔同意将其在IM Flash新加坡的权益出售给美光，连同其在弗吉尼亚州马纳萨斯的某些IM Flash Technologies资产的份额。
后续影响
IM Flash新加坡成为美光全资拥有，并纳入美光新加坡制造网络。
2010
重启NAND闪存生产准备新品背景
IM Flash Technologies工厂已达到最大产能，增加了对额外制造基地的需求。
采取的行动
美光和英特尔恢复准备装备IM Flash新加坡并开始生产。
后续影响
该工厂于2011年4月正式开业。
2008
暂停初始调试计划战略背景
该工厂已建成，原定于2008年底开始运营，但全球金融危机扰乱了半导体投资和需求。
采取的行动
工厂在资本设备搬入之前被闲置，约800人的劳动力被裁员。
后续影响
该场地一直闲置，直到合作伙伴后来准备恢复生产。
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