IQE
企业品牌
未认领一家英国半导体材料公司，为光电、无线、光子及其他电子应用制造先进的磊晶晶圆。
最近更新 2026年8月26日
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概览
IQE plc 是一家英国半导体材料公司，总部位于威尔士卡迪夫。它制造先进的磊晶晶圆及相关化合物半导体材料，这些材料被集成到用于通信、无线基础设施、光网络、传感、显示及其他电子应用的设备中。IQE 并非主要销售成品消费设备，而是在半导体供应链的更上游运营：它向设备制造商和集成器件公司提供工程化晶圆结构，这些公司利用它们生产激光器、光电探测器、射频元件、功率器件、传感器及其他半导体产品。 该公司始于1988年，由 Drew Nelson 和 Michael Scott 在卡迪夫创立，当时名为 Epitaxial Products International。其早期重点是用于光纤通信的光电元件的磊晶材料。利用金属有机化学气相沉积（MOCVD），该公司生产用于半导体激光器、发光二极管和光电探测器的结构，这些器件工作在长距离光网络相关的波长，特别是1300和1550纳米。 一个决定性的转折点出现在1999年，当时 Epitaxial Products International 与总部位于宾夕法尼亚州的 Quantum Epitaxial Designs（由 Tom Hierl 创立）合并。合并后的公司采用了 IQE 的名称。此次交易通过增加分子束外延（MBE）技术扩展了 IQE 的技术基础，并拓宽了其对无线通信产品的覆盖。这一组合使 IQE 成为一家独立的代工制造商，能够利用两种主要的外延生长技术提供光电和射频磊晶晶圆。 IQE 还通过收购和新设施扩展了其材料组合和地理足迹。2000年，它在卡迪夫成立了 IQE Silicon，以开发用于增强硅器件、微机电系统和纳米技术应用的硅和硅锗外延。同年，它收购了米尔顿凯恩斯的 Wafer Technology，增加了包括砷化镓和磷化铟在内的衬底生产，以及用于红外应用的锑化镓和锑化铟的能力。后来的收购和技术扩展进一步增强了集团在英国、美国、新加坡和亚洲的 MOCVD、MBE、氮化镓、射频和化合物半导体能力。 该公司在威尔士的卡迪夫和纽波特、英格兰的米尔顿凯恩斯、美国的多个地点以及台湾保持了制造和开发业务。其产品范围包括基于砷化镓、氮化镓、磷化铟、硅及相关化合物半导体材料的磊晶晶圆。该公司曾表示，较大直径的砷化镓和氮化镓晶圆适用于包括 microLED 显示器在内的应用，而磷化铟晶圆则支持电光和非光器件。 IQE 在其扩张阶段成为上市公司。合并后的公司于1999年在 EASDAQ 完成首次公开募股，并于2000年在伦敦证券交易所上市。其业绩与半导体需求、客户生产计划、技术转型以及认证和批量出货的时间密切相关。2018年11月，IQE 警告称产品出货量将大幅低于预期，并对盈利能力产生相应影响；该公告导致其股价大幅下跌。2019年，IQE 收购了 CSDC（一家化合物半导体合资企业）的剩余权益，此前该公司已持有其多数股权。该公司继续作为磊晶晶圆和半导体材料平台的专家供应商运营。
沿革
IQE 于1988年在卡迪夫由 Drew Nelson 和 Michael Scott 创立，当时名为 Epitaxial Products International。最初的业务专注于用于光电器件的磊晶晶圆，特别是用于光纤通信的元件。其基于 MOCVD 的生产支持了为光网络波长（约1300和1550纳米）设计的半导体激光器、LED 和光电探测器。 1999年，Epitaxial Products International 与由 Tom Hierl 创立的宾夕法尼亚州公司 Quantum Epitaxial Designs 合并。合并后的组织成为 IQE。此次合并为集团带来了 MBE 技术和额外的无线通信专业知识，补充了其现有的 MOCVD 能力。它还将公司的产品基础扩展到射频外延，包括用于 pHEMT 和 MESFET 器件的结构。IQE 随后将自己定位为一家独立的代工生产商，能够服务于光电和射频半导体市场。 合并后的公司于1999年通过 EASDAQ 首次公开募股进入公开市场，并于2000年转为伦敦证券交易所上市。在同一时期，IQE 在卡迪夫创建了 IQE Silicon。该子公司使用化学气相沉积设备开发用于高性能硅处理、MEMS 和纳米技术相关用途的硅和硅锗磊晶晶圆。IQE 还在2000年收购了米尔顿凯恩斯的 Wafer Technology。该收购增加了砷化镓和磷化铟衬底的生产，并拓宽了公司在用于红外应用的锑化物材料方面的能力。 通过一系列收购和技术投资，扩张继续进行。2006年，IQE 收购了 Emcore 的电子材料部门，增加了第二个美国运营点、额外的 MOCVD 产能以及异质结双极晶体管和 BiFET 相关材料等射频产品。集团还收购了总部位于新加坡的 MBET Technologies，扩展了其 MBE 能力和多站点制造模式。2009年，收购了巴斯大学衍生公司 NanoGaN，增加了独立式氮化镓衬底技术。 2012年，IQE 收购了位于华盛顿州斯波坎的 Galaxy Compound Semiconductors 和位于北卡罗来纳州格林斯伯勒的与 RFMD 相关的 MBE 外延制造单元。这些交易加强了其在美国的制造基础，并扩大了其为射频和化合物半导体客户服务的能力。IQE 后来的足迹包括英国威尔士和米尔顿凯恩斯、美国多个地点以及台湾。 该公司开发了基于砷化镓、氮化镓、磷化铟、硅及相关半导体材料的产品。其晶圆被下游制造商用于包括光通信、无线基础设施、射频电子、传感器、显示器以及其他光子或电子系统。GaAs 和 GaN 晶圆已以八英寸格式生产，用于包括 microLED 显示器在内的应用，而六英寸 InP 晶圆则面向电光应用。 IQE 的业绩对半导体行业的周期性需求、客户库存、认证时间表以及产品世代的变化敏感。2018年11月12日，公司披露出货量将大幅减少，盈利能力也将受到重大影响。该公告导致其股价大幅下跌。2019年10月，IQE 收购了 CSDC 的剩余权益，CSDC 是2015年成立的合资企业，IQE 此前通过 MBE Technologies 持有51%的股份。IQE 仍然是磊晶晶圆和先进半导体材料的活跃专家供应商。
- 2019
CSDC 成为 IQE 全资子公司
[1]IQE 在之前通过 MBE Technologies 持有51%股份后，收购了 CSDC 的剩余权益。
- 2018
出货警告影响市场估值
[1]IQE 报告称出货量将大幅减少，盈利能力将受到重大影响，导致股价急剧下跌。
- 2012
美国化合物半导体扩张
[1]IQE 收购了斯波坎的 Galaxy Compound Semiconductors 和格林斯伯勒的与 RFMD 相关的 MBE 外延单元。
- 2009
收购 NanoGaN
[1]IQE 收购巴斯大学衍生公司 NanoGaN，增加了独立式氮化镓衬底能力。
- 2006
收购 Emcore 电子材料部门
[1]IQE 收购 Emcore 的电子材料部门，增加了美国产能、MOCVD 能力和互补的射频产品。
- 2006
收购 MBET Technologies
[1]这笔位于新加坡的交易扩展了 IQE 的 MBE 能力，并支持多站点、多技术制造模式。
- 2000
伦敦证券交易所上市
[1]IQE 在伦敦证券交易所上市。
- 2000
IQE Silicon 成立
[1]集团在卡迪夫成立 IQE Silicon，以开发用于先进硅、MEMS 和纳米技术应用的硅和硅锗外延。
- 2000
收购 Wafer Technology
[1]该收购增加了 GaAs 和 InP 衬底制造以及用于红外应用的锑化物材料能力。
- 1999
合并创建 IQE
[1]Epitaxial Products International 与 Quantum Epitaxial Designs 合并，为合并后的集团带来 MBE 技术和无线半导体专业知识。
产品与定位
IQE 将自己定位为一家独立的、全球性的先进磊晶晶圆和化合物半导体材料平台供应商。其差异化基于材料的广度、外延生长技术、制造地点以及从开发和认证到批量生产支持客户的能力。
化合物半导体晶圆
砷化镓磊晶晶圆
IQE 生产 GaAs 磊晶晶圆及相关结构，用于射频、无线、光电和显示相关应用。该材料平台用于下游器件，如高频晶体管、光学元件和某些 microLED 架构。
化合物半导体晶圆
氮化镓磊晶晶圆
IQE 的 GaN 能力包括外延结构和独立式衬底技术。GaN 材料支持需要高频、高功率或光电性能的应用，包括射频电子、功率相关器件和显示技术。
光电半导体晶圆
磷化铟晶圆
InP 晶圆用于电光和非光应用，包括与光通信相关的元件。IQE 已为这些器件市场生产六英寸 InP 晶圆格式。
硅半导体材料 · 2000
硅和硅锗外延
通过其硅聚焦业务，IQE 开发用于增强硅处理、微机电系统和相关先进材料应用的硅和硅锗磊晶晶圆。
射频半导体材料
射频外延结构
IQE 制造用于射频器件的外延结构，包括与 pHEMT、MESFET、HBT 和 BiFET 技术相关的材料平台。这些产品服务于无线通信和其他高频电子应用。
品牌决策
2019
收购 CSDC 剩余权益并购背景
IQE 此前通过 MBE Technologies 持有 CSDC 51%的权益。
采取的行动
2019年10月，IQE 收购了该合资企业的剩余权益。
后续影响
CSDC 成为 IQE 全资运营的一部分。
2012
扩展美国制造并购背景
IQE 继续构建一个地理分布式的化合物半导体和射频晶圆生产平台。
采取的行动
公司收购了斯波坎的 Galaxy Compound Semiconductors 和格林斯伯勒的与 RFMD 相关的 MBE 外延制造单元。
后续影响
这些收购扩大了 IQE 在美国的业务，并加强了其 MBE 和射频制造能力。
2000
扩展至硅基外延战略背景
IQE 旨在将其材料组合扩展到化合物半导体和光电应用之外。
采取的行动
集团在其卡迪夫总部和欧洲制造基地附近的设施中成立了 IQE Silicon。
后续影响
该子公司增加了用于先进硅处理、MEMS 和纳米技术应用的硅和硅锗外延。
1999
与 Quantum Epitaxial Designs 合并并购背景
Epitaxial Products International 寻求拓宽其技术和市场覆盖范围，超越其最初的光电焦点。
采取的行动
这家卡迪夫公司与总部位于宾夕法尼亚州的 Quantum Epitaxial Designs 合并，并采用了 IQE 的名称。
后续影响
此次合并增加了 MBE 能力和无线半导体产品，创建了一个更广泛的独立磊晶晶圆供应商。
近期事件
IQE 任命 Americo Lemos 为首席执行官[2]
IQE 任命 Americo Lemos 为首席执行官，任职将于 2022 年 1 月 10 日开始。
- 尚未确定
IQE获得雷神2019年度卓越供应商大奖[3]
IQE获得雷神2019年度供应商卓越奖；雷神授予IQE Premier级别的卓越供应商奖。
IQE宣布收购CSDC全部所有权[4]
IQE宣布将收购其新加坡合资企业CSDC的第三方股份，从而取得100%所有权。来源将此描述为已宣布的收购，而非已完成的收购。
- 尚未确定
IQE 下调 2019 年收入指引[5]
IQE 在交易更新中将 2019 年收入指引从 1.4 亿至 1.6 亿英镑下调至 1.36 亿至 1.42 亿英镑。报道还称，公司目前预计调整后营业亏损将达到中个位数水平。
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