Everspin Technologies

Everspin Technologies是一家美国半导体公司，总部位于亚利桑那州钱德勒，专注于磁阻随机存取存储器（通常称为MRAM）。其产品旨在将传统RAM的速度和耐久性与磁存储的非易失性相结合。与易失性SRAM和DRAM不同，MRAM在系统断电时保留存储信息，同时避免了与许多闪存形式相关的有限写入周期限制。这些特性使该技术适用于需要持久性、快速访问、高耐久性以及在苛刻环境中可靠运行的应用。 公司的技术传承可追溯至摩托罗拉内部进行的MRAM研究，后来与飞思卡尔半导体相关。早期工作包括磁隧道结技术和Toggle MRAM的开发，随后研究自旋转移矩方法，以支持更小的单元、更高的密度和更低的开关能量。Everspin从这一半导体发展谱系中脱颖而出，成为专门的MRAM业务，并逐步将技术从研究和样品阶段推向商业生产。 Everspin的产品组合包括分立Toggle MRAM、串行和并行存储器件、更高密度的自旋转移矩MRAM、嵌入式MRAM技术以及nvNITRO存储加速器。Toggle MRAM产品提供从千位级器件到多兆位产品的密度，接口和封装面向工业、嵌入式、网络、交通和其他专业系统。STT-MRAM将公司的业务扩展到更高密度的存储器，并兼容DDR3和DDR4等标准，尽管MRAM实现可能需要系统级调整，因为它们作为持久性存储器而非传统易失性DRAM运行。 Everspin商业模式的重要组成部分是与半导体代工厂（尤其是GlobalFoundries）的合作。双方致力于将MRAM融入CMOS制造工艺，并在更小的工艺节点上生产嵌入式存储器。Everspin还保持了自己的磁性后端晶圆处理能力，使用通过代工关系提供的标准CMOS晶圆。这种模式使公司能够将专有磁性存储处理与成熟的半导体制造基础设施相结合。 公司在2010年代商业扩张，增加了产量，推出了更大容量的STT-MRAM，并开发了nvNITRO等系统产品。2016年完成首次公开募股，进入公开资本市场。2017年任命Kevin Conley为总裁兼首席执行官，扩大了对FPGA导向内存控制器的支持，并正式推出第一代nvNITRO存储加速器。后续发展重点是扩展STT-MRAM至1Gb密度，拓宽设计生态系统，并推进嵌入式MRAM制造平台。 Everspin服务于数据持久性和可靠性比最低每比特成本更重要的市场和设计合作伙伴。潜在应用包括工业设备、网络基础设施、汽车和交通系统、航空航天和国防电子、企业存储、仪器仪表和嵌入式系统。因此，其定位比大众市场DRAM或NAND供应商更为专业：公司通过强调非易失性、耐久性、快速写入、低待机数据丢失风险以及在电池备份或传统存储器架构可能不受欢迎的条件下运行来竞争。

Everspin Technologies源自摩托罗拉和飞思卡尔半导体的MRAM研究谱系。更广泛的技术基础由磁性材料和自旋电子学的进步奠定。巨磁阻效应于1984年被发现，自旋转移矩于1996年被提出，为磁隧道结通过自旋极化电流切换创造了途径。摩托罗拉在1990年代末开始专注于MRAM研究，于1998年生产出早期磁隧道结，并于1999年制造出256Kb MRAM测试芯片。摩托罗拉后来获得了重要的Toggle MRAM知识产权，而首批商业MRAM产品出现在2000年代中期。 随着摩托罗拉半导体组织的变动和飞思卡尔半导体的成立，MRAM业务最终分离为后来的Everspin Technologies。Everspin开始商业化分立MRAM，并发展制造关系，旨在使磁性存储器与常规CMOS生产兼容。2008年，它宣布了从256Kb到4Mb密度的球栅阵列封装。2009年，它推出了第一代SPI MRAM系列，并与GlobalFoundries合作开始出货嵌入式MRAM样品。 公司在2010年扩大生产，并报告了首批百万MRAM单元销售。它还完成了早期嵌入式MRAM产品的认证，并推出了16Mb产品。到2011年，分立和嵌入式器件的出货量已达数百万。2012年，Everspin在90nm工艺上生产了64Mb ST-MRAM器件，标志着向更高密度自旋转移矩产品迈进。 2014年，Everspin和GlobalFoundries扩大了制造合作，包括在300mm晶圆上使用40nm和28nm工艺技术生产面内和垂直磁隧道结ST-MRAM。这一关系支持了Everspin扩展密度并将MRAM集成到标准半导体制造流程中的努力。2016年，公司宣布了256Mb ST-MRAM器件的样品，而GlobalFoundries宣布了与Everspin共同开发的22nm嵌入式MRAM平台。Everspin还于2016年10月7日完成了首次公开募股。 2017年，Everspin通过DDR3和DDR4兼容性将ST-MRAM支持扩展到FPGA相关应用，包括对Xilinx UltraScale FPGA使用的内存控制器环境的支持。公司于当年9月1日任命Kevin Conley为总裁兼首席执行官。它还推出了第一版nvNITRO存储加速器，利用MRAM提供持久性存储，而无需某些存储架构中常用的电池备份来保护在途数据。SMART Modular Technologies成为nvNITRO技术合作伙伴，并计划销售品牌版本。 Everspin在2018年和2019年继续扩展STT-MRAM。它增加了256Mb器件的产量，于2018年12月交付了1Gb STT-MRAM的早期客户样品，于2019年6月开始试产，并扩展了ST-DDR4系统实现的工具和设计支持。2020年，GlobalFoundries开始使用其12nm生产平台为Everspin制造MRAM。公司的持续战略集中于分立MRAM产品、嵌入式MRAM许可和代工服务，以及针对持久性、耐久性、性能和可靠性至关重要的应用的专业存储解决方案。

• 2020

  12nm MRAM制造平台

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  GlobalFoundries开始使用12nm平台为Everspin生产MRAM。

• 2018

  1Gb STT-MRAM客户样品

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  公司交付了1Gb STT-MRAM的初始客户样品。

• 2017

  256Mb ST-MRAM样品和nvNITRO发布

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  Everspin宣布了256Mb ST-MRAM样品，扩展了FPGA兼容性，并推出了第一代nvNITRO存储加速器。

• 2016

  首次公开募股

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  Everspin于2016年10月7日完成首次公开募股。

• 2014

  300mm ST-MRAM制造合作

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  Everspin和GlobalFoundries扩大了在40nm和28nm工艺上使用面内和垂直MTJ ST-MRAM的工作。

• 2012

  生产64Mb ST-MRAM

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  公司使用90nm工艺生产了64Mb ST-MRAM器件。

• 2009

  SPI MRAM和嵌入式MRAM样品

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  Everspin发布了其首款SPI MRAM系列，并开始与GlobalFoundries合作出货嵌入式MRAM样品。

• 2008

  BGA MRAM封装发布

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  Everspin宣布推出支持256Kb至4Mb MRAM密度的BGA封装。

• 2006

  首款商用MRAM产品上市

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  首款商用MRAM产品（4Mb密度）标志着该技术商业化的重要一步。

• 1999

  摩托罗拉开发出256Kb MRAM测试芯片

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  摩托罗拉的测试芯片帮助MRAM从实验室研究走向产品开发。

• 1996

  自旋转移矩被提出

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  自旋转移矩被提出作为通过自旋极化电流改变磁隧道结状态的方法。

• 1984

  巨磁阻效应被发现

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  巨磁阻效应的发现为后来的自旋基存储技术奠定了重要的科学基础。

专注于高耐久性、快速访问、数据持久性和可靠性关键应用的专业非易失性存储器供应商，而非大宗商品存储器容量。

• 分立非易失性存储器

  Toggle MRAM

  Everspin的Toggle MRAM产品使用磁隧道结单元，在断电时保留数据，且没有传统电可擦除存储器相关的磨损机制。该系列包括并行和SPI接口，密度从128Kb到16Mb，封装包括DFN、SOIC、BGA和TSOP2。其标称工作特性旨在满足需要长保留时间、高耐久性和宽工业温度范围的应用。

• 高密度非易失性存储器

  自旋转移矩MRAM

  STT-MRAM使用垂直磁隧道结和自旋极化电流来切换存储单元的磁状态。与Toggle MRAM相比，该架构旨在支持更小的单元、更高的密度、更低的开关能量和强大的耐久性。Everspin开发了兼容DDR3和DDR4系统的产品，允许在传统使用DRAM的应用中实现持久性存储器行为，同时减少或消除与刷新相关的数据丢失。

• 持久性存储加速器 · 2017

  nvNITRO存储加速器

  nvNITRO产品将Everspin MRAM应用于存储加速和数据在途保护。产品系列包括半高半长PCIe Gen3 x8卡和U.2外形规格，支持NVMe 1.1和块存储要求。由于存储介质是非易失性MRAM，该架构旨在保护在途数据，而无需依赖某些替代存储产品使用的电池备份。

• 嵌入式存储器技术 · 2009

  嵌入式MRAM

  Everspin与代工合作伙伴合作，将MRAM集成到标准CMOS工艺中。嵌入式MRAM可以作为逻辑设计中嵌入式闪存、SRAM或DRAM的持久性替代品。该技术已与GlobalFoundries的工艺平台相关联，包括65nm、40nm、28nm和22FDX，使客户能够评估非易失性存储器在片上系统和其他嵌入式应用中的使用。

• 2017

  推出nvNITRO存储加速器新品

  背景

  存储系统需要保护在途数据，当涉及易失性存储器时，可能会使用电池备份替代方案。

  采取的行动

  Everspin推出了基于ST-MRAM的nvNITRO产品，采用PCIe和U.2外形规格，支持NVMe和块存储用例。

  后续影响

  此次发布将Everspin的产品从分立存储芯片扩展到持久性存储基础设施，SMART Modular Technologies成为技术合作伙伴。

  来源

• 2017

  将STT-MRAM推向1Gb密度换代

  背景

  更高的密度对于将MRAM扩展到传统上由更大容量技术服务的存储和存储应用非常重要。

  采取的行动

  Everspin宣布了1Gb DDR4兼容STT-MRAM的客户样品，并继续向生产规模可用性发展。

  后续影响

  该计划于2018年交付了初始客户样品，并于2019年进行了试产活动。

  来源

• 2016

  成为上市公司其他

  背景

  经过多年的MRAM开发、样品和产量扩展，Everspin寻求进入公开股票市场。

  采取的行动

  Everspin于2016年10月7日完成首次公开募股。

  后续影响

  IPO使Everspin成为一家上市半导体公司，并支持了其持续的产品和制造开发。

  来源

• 2014

  扩大代工合作以扩展STT-MRAM战略

  背景

  Everspin需要能够支持更高密度MRAM和更小磁性存储单元的制造工艺。

  采取的行动

  公司扩大了与GlobalFoundries的合作，使用40nm和28nm工艺技术在300mm晶圆上生产面内和垂直MTJ STT-MRAM。

  后续影响

  该合作支持了后续嵌入式MRAM和更高密度STT-MRAM的开发。

  来源

1. 1Everspin Technologiesen.wikipedia.org