近期事件
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SK海力士发布MARS内存加速架构与HBF高带宽闪存技术
SK海力士在2026年OCP全球峰会上发布MARS内存加速架构与HBF高带宽闪存技术,瞄准AI训练与推理的内存瓶颈。MARS通过内存解聚,可使多轮推理的首次标记时间(TTFT)提升3至5倍;HBF带宽约为HBM的一半,容量却可达其14倍,样品计划于2028年初推出。两项技术有望优化AI基础设施的内存利用率与容量配置。
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SK海力士在SEDEX 2026发布3D堆叠DRAM架构,目标2028年量产
在首尔举行的第28届韩国半导体展览会(SEDEX 2026)上,SK海力士社长兼首席开发官Ahn Hyun正式披露了一种3D堆叠DRAM架构,通过硅通孔(TSV)互连将DRAM裸片直接键合到处理器裸片上,省去了现有高带宽存储器(HBM)所需的硅中介层。该公司目标2028年量产,并正在开发16层有源裸片配置。
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SK海力士在2026年OCP全球峰会发布MARS与HBF两项内存技术
SK海力士在2026年OCP全球峰会上发布两项内存技术:MARS内存加速架构(Memory-Centric AI Rack-Scale System),公司称可将多轮AI推理场景的首次标记时间提升3至5倍;以及HBF高带宽闪存(High Bandwidth Flash),带宽约为HBM的一半但容量约为HBM的14倍,HBF Cube样品计划于2028年初提供。
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SK海力士发布面向SSD控制器的低功耗处理器设计
SK海力士发布了一种新的处理器架构,旨在降低固态硬盘(SSD)控制器的功耗与芯片面积,以扩展其在AI数据中心对更快、更高效数据访问需求下解决存储瓶颈的努力。
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应用材料公司在加州森尼韦尔启用EPIC中心,初始投资50亿美元
应用材料公司在加州森尼韦尔启用其设备与工艺创新及商业化(EPIC)中心,初始资本投资50亿美元。这座占地60万平方英尺、拥有近四英亩先进洁净室空间的设施开幕时汇聚了包括台积电、英特尔、SK海力士、美光和三星电子在内的半导体巨头创始阵容,以及博通、爱德万测试、SCREEN、铠侠和Besi等创新合作伙伴,旨在将芯片制造商、系统公司、设备供应商和大学研究人员聚集在一起,加速半导体工艺技术与设备研发。
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SK海力士发布SSD专用处理器架构H-TPU
SK海力士于2026年10月12日在韩国仁川松岛举行的ISOCC 2026会议上,由SoC设计副总裁구인재发表主题演讲,正式推出面向SSD的“H-TPU(海力士事务处理单元)”处理器架构。该可编程架构专门用于控制SSD数据平面和处理事务,摒弃单一庞大通用CPU,将控制功能拆分并分布到数十个小型TPU集群;据称其占用面积约为通用CPU核心的1/25(约占总CPU面积4%),功耗约为2.5%。SK海力士计划将该技术应用于其各类NAND存储器产品线,包括下一代企业级固态硬盘(eSSD)控制器,之后用于下一代AI存储架构“Storage Next”。
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SK 海力士淘宝旗舰店下架全部商品,拟于 9 月终止经营
「SKhynix 旗舰店」日前在天猫首页公示,店铺拟于 9 月 9 日自主终止经营,目前已下架全部商品。店铺公示的运营主体为天津海利士科技有限公司。部分消费者担心已购内存产品的后续质保可能受影响。这次变动目前只能确认为淘宝天猫店铺的终止经营公示,不等同于 SK 海力士退出中国市场。
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闪迪披露HBF样品与量产时间表
闪迪在近日的投资者日上披露,HBF(高带宽闪存)首批样品预计于2027年推出,量产时间瞄准2028年。HBF定位于HBM与固态硬盘之间的新型存储层级,兼具HBM级读取带宽与8~16倍于HBM的容量。
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